CRST030N10N是一款功率MOSFET晶体管,采用N沟道结构设计,具有低导通电阻和高开关速度等优点。该晶体管的典型参数包括额定电压Vdss为100V,额定电流Id为24A,导通电阻Rds(on)为30mΩ。它可以应用于各种高性能电源开...
敏感电阻器:是指其电阻值对某种物理量具有敏感特性。高频电路应使用分布电感和分配电容器小的非线绕电阻器,例如碳膜电阻器,金属电阻器和金属氧化膜电阻器,薄膜电阻器,厚膜电阻器,合金电阻器,防腐蚀镀膜电阻器...
钽电解电容器具有很高的工作电场强度,并且比类型的电容器大,以确保其小型化。钽电解电容器具有储存和充放的性能,主要用于滤波,能量存储与转换,记号旁路,耦合和退缩以及定期使用时间元件等。
对于法拉的一级电容器,其存储电荷的过程不仅包括双电池层上的存储过程,还包含由于氧化和还原反应而将电荷储存在电解液中离子活性物质中的电极。同时存储的电荷是通过外部电路释放的。巨大的表面积加上非常小的电荷...
电解电容器由于电介质薄膜可以做得很薄,因此它可以制作容量小且容量大的电容器,并且是大容量电容器的主要零件。但是,电解电容器中有很多缺陷,例如频井特性和温度特征差以及漏电流和介质损失大等。